SK海力士交出史上最强季度业绩，同时抛出远超市场预期的股东回报计划，有望将此前偏空的股票情绪拉回正轨。
据追风交易台消息，据摩根大通28日发布的研究报告，SK海力士2026年第三季度营收达104.6万亿韩元，营业利润达83.3万亿韩元，均创历史同期新高，分别超出市场共识约7%和9%，超出摩根大通自身预测约11%和16%。同日，公司宣布规模高达100万亿韩元的股东回报计划，涵盖60万亿韩元回购与40万亿韩元股息，摩根大通指出，市场此前的普遍预期仅约40万亿韩元。
摩根大通分析师Jay Kwon在报告中表示，季度业绩超预期叠加新股东回报方案，预计将推动股票情绪由此前的偏空转为正面。报告维持对SK海力士的增持（Overweight）评级，目标价270万韩元（基于2027年6月时间节点），较当前股价1,343,000韩元存在约一倍上行空间。
定价强劲，HBM4放量平稳推进本季业绩超预期的核心驱动力来自定价端。SK海力士第三季度DRAM平均售价（ASP）环比上涨近30%，显著高于摩根大通此前预测的约20%；NAND ASP环比上涨约25%，亦大幅高于摩根大通预测的12%。
摩根大通认为，DRAM ASP超预期表现意味着HBM4的量产爬坡进展顺利。公司预计，第四季度HBM4将在HBM出货量及营收占比上超越HBM3E，并计划在2026年底前将M15X产线提升至满产。公司同时透露，2027年HBM定价谈判已基本完成，HBM相对于传统DRAM的盈利溢价有望明显收窄。
在出货量方面，第三季度DRAM比特出货量环比增长约10%，符合摩根大通预期；NAND比特出货量则略有下滑，略逊于预期的环比增长3%。外汇因素构成一定拖累，季内汇兑损失达11.6万亿韩元。
第四季度出货指引远超预期公司对第四季度出货量的指引大幅高于市场预期。管理层预计，DRAM比特出货量环比增幅将达20%左右，远超摩根大通预测的4%；NAND比特出货量亦预计实现中个位数百分比的环比增长，高于摩根大通预测的3%。
公司将上述增长归因于1cnm制程产能扩张、M15X产线爬坡，以及基于321层堆叠架构的eSSD销售增加。321层NAND在国内产能中的占比预计于第四季度扩大至50%以上。
在技术路线上，公司计划提升1cnm制程服务器产品比重，并扩大1cnm DDR5及LPDDR5 SOCAMM的销售规模。
百万亿回购规模远超共识，长协锁定未来两年需求股东回报计划是本次公告另一重大亮点。SK海力士宣布2026年度股东回报计划总规模达100万亿韩元，其中包含60万亿韩元的股票回购及40万亿韩元的股息，依据摩根大通预测，这一规模对应2026年自由现金流的65%以上派发比率。
据摩根大通，市场此前对该计划的普遍预期约为40万亿韩元，实际公告规模约为共识的2.5倍。公司同日宣布当日启动20万亿韩元的回购计划，其中10万亿韩元用于股东回报，另外10万亿韩元用于员工持股计划（PSU）购买。第三季度每股股息为20,000韩元，其中10,000韩元来自核心经营利润，另外10,000韩元来自铠侠（Kioxia）股权出售收益，公司计划在年底将大部分铠侠出售相关收益以特别股息形式分配。
需求端方面，公司已与包括全球主要云服务商（CSP）在内的14家核心客户签署长期协议（LTA），锁定2027年及2028年逾50%的总产能。公司重申，内存需求将持续超越供给至2030年。
汇兑损失及PC与智能手机需求疲软构成隐忧尽管经营层面全面超预期，但税前利润及净利润均低于预期，主要原因为外汇损失（11.6万亿韩元）以及与铠侠相关的投资估值损失（约22.9万亿韩元）。
此外，PC及智能手机终端需求呈现局部疲软迹象，部分终端产品出货出现调整，产品组合亦因内存价格上涨而有所变化。
资本支出方面，第三季度资本开支为12.7万亿韩元，年初至今累计31万亿韩元，摩根大通全年预测为47万亿韩元，目前进度符合预期。公司表示，资本开支主要集中于龙仁（Yong-in）产业集群基础设施建设及M15X产线关键设备采购，并预计2027年资本支出将较2026年显著增加。
摩根大通：共识盈利预测上调空间明显摩根大通认为，此次季度超预期业绩将推动市场共识盈利预测上移，未来12至24个月内存供需基本面的自下而上逻辑依然有利。分析师指出，2027年HBM定价，以及长协与非长协客户的结构比例和提价幅度，仍是影响共识每股盈利（EPS）上调幅度的关键变量。
报告对SK海力士的估值基于2026至2027年预测EPS均值的7倍市盈率，以反映更强劲、更持久的内存上行周期预判。
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